国产芯片迎来曙光,中企攻克难题,不用荷

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为了提高芯片工艺的精度，ASML公司采用了浸润式光刻机技术，把nm波长的光源等效到nm的波长。凭借这一先进的技术，ASML公司在光刻机市场站稳脚跟，研发的EUV光刻机更为亮眼。就算是先进的3nm芯片，对于浸润式光刻机技术而言也不过如此。不过，想要研发更高精度的芯片工艺，需要使用先进的EUV光刻机。然而，全球只有ASML公司可以制造EUV光刻机，而且产量十分有限。ASML公司花了十年的时间，最终才生产了57台EUV光刻机。加上ASML公司的两大股东，资本国际、美国贝莱德集团都是美国控股公司。美国为了阻碍中国科技产业的发展，不仅三番五次的制裁华为公司，还修改了出口规则，禁止ASML公司向中国出口EUV光刻机。基于一系列因素的限制，中国一直无法购买ASML公司的EUV光刻机。虽然中芯国际曾在ASML公司预定了一台光刻机，但是因为美国的背后使坏，导致这台光刻机一直无法到达中国。显而易见，光刻机导致中国芯片行业被“卡脖子”。不过，中芯国际没有因为美国的封锁止步不前，而是进行了技术改进，朝着更高工艺的方向前进。目前，中芯国际已经突破了14nm芯片工艺，打造了第一条14nm生产线，并在逐步提升14nm芯片的产能。不仅如此，中芯国际的N+1芯片工艺即将问世，相比14nm芯片工艺，N+1芯片工艺可以把逻辑面积缩小至63%，把SOC面积缩小至55%，把能耗下降至57%。根据指标参数进行分析，N+1芯片工艺其实就是7nm芯片工艺。中芯国际突破了7nm芯片工艺，鼓舞了中国芯片制造行业的发展，这意味着中国不用ASML公司的光刻机，也能实现7nm芯片的量产。按照这种趋势持续下去，国产芯片有望实现自给自足，届时我们可以摆脱对于其它国家的依赖。如今，中芯国际的N+1芯片工艺已经实现了小规模量产，预计年至年可以实现大规模量产。除了N+1芯片工艺之外，中芯国际还在突破7nm芯片工艺，预计明年可以生产低功率的7nm芯片。与此同时，中芯国际试图研发N+2芯片工艺，这一工艺可能就是5nm芯片工艺，预计在年可以实现量产。如此一来，国产芯片会逐渐打破其它国家的技术封锁，实现芯片的自主可控。按照这种趋势持续发展下去，中国有望实现芯片的国产替代，国产企业可以摆脱对于进口芯片的依赖。届时，就算美国三番五次打压中国芯片产业也是无济于事。不过需要知道，想要突破更高精度不是一件容易的事情，因此中芯国际需要脚踏实地，一步一步的摸索。类似第一大芯片代工巨头，台积电不仅实现了5nm芯片的量产，还在研发3nm芯片工艺。反观三星电子公司，由于5nm芯片的良率不足，一直无法进行大规模量产。英特尔公司的7nm芯片工艺频繁受挫，最终只能延迟7nm芯片的大规模量产。由此可见，更高精度之路的发展不是一帆风顺的，所以我们应该提前做好准备，脚踏实地的朝着目标前行。总结中芯国际不断攻克光刻机难题，不断突破7nm芯片工艺，预计明年可以实现低功率7nm芯片的量产。基于中芯国际等国产企业的不断突破，国产芯片迎来曙光。就算没有ASML公司的EUV光刻机，我们也能量产7nm芯片。对于国产芯片的未来发展，你有什么看法吗？暴富专属

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